広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

2017年度 研究業績

学術論文

  1. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (6S2), (2017) 06HE05-1 - 06HE05-4.
  2. H. Hanafusa, R. Ishimaru, and S. Higashi, “High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (4), (2017) 040304-1 - 040304-3.

会議発表

  1. T. Hieda, H. Hanafusa, S. Higashi, “Investigation on Crack suppression by Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” 231st Electrochem. Soc. (ECS) Meeting (New Orleans, LA, USA, May. 28 - Jun.1, 2017). #1019.
  2. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット照射による高速結晶化”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7a-C21-10(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  3. 稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化における残留熱応力解析”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7a-C21-9(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  4. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の窒素ブースト大気圧プラズマジェット照射による連続結晶成長”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 5a-A204-3(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  5. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“SiCデバイス作製プロセスに向けた大気圧熱プラズマジェットによる大面積熱処理”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 6a-A201-11(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  6. [注目講演]  花房 宏明、中島 涼介、東 清一郎、“窒素ブーストによる大気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7p-A413-9(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  7. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット結晶化および連続結晶成長”、2017年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-9)P.61.(2017.7.29、愛媛大学 城北キャンパス).
  8. 中野 航、稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコンの大気圧熱プラズマジェット結晶化”、シリコン材料・デバイス研究会[SDM](2017.4.20-4.21、龍郷町生涯学習センター).

 

 

受賞

 

過去の研究業績

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