広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

2017年度 研究業績

学術論文

  1. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (6S2), (2017) 06HE05-1 - 06HE05-4.
  2. H. Hanafusa, R. Ishimaru, and S. Higashi, “High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (4), (2017) 040304-1 - 040304-3.

会議発表

  1. S. Higashi, M. Wei, T. Kanamaru, “Low Temperature Formation of SiNx Encapsulation Films by Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” Proc. 24th Int. Display Workshops (IDW’17), (Sapporo, Japan, Dec. 6-8, 2017), pp.687-689.
  2. R. Mizukami, T. Yamashita, S. Higashi, “Single Crystalline Silicon CMOS Circuit Fabrication on Plastic Substrate by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique,” Proc. 24th Int. Display Workshops (IDW’17), (Sapporo, Japan, Dec. 6-8, 2017), pp. 1525-1528.
  3. H. Hanafusa, T. Taniguchi and S. Higashi, “Silicidation-Less Ohmic Contact Formation on N-Type 4H-SiC with Silicon Cap Annealing,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), (Washington, D.C., Sept. 17–22, 2017).
  4. T. Hieda, H. Hanafusa, S. Higashi, “Investigation on Crack suppression by Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” 231st Electrochem. Soc. (ECS) Meeting (New Orleans, LA, USA, May. 28 - Jun.1, 2017). #1019.
  5. [招待講演] 東 清一郎、"単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作"、電子情報通信学会技術研究報告 有機エレクトロニクス研究会(2017年12月1日、サンメッセ鳥栖), 信学技報117(334)(2017年11月24日)pp. 53-57.
  6. 花房 宏明、中野 航、中島 涼介、東 清一郎、“窒素ブーストにより超ハイパワー化した大気圧熱プラズマジェットの加熱特性”、 薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、20p-O02 (pp. 45-47)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  7. 沖 昴志、花房 宏明、東 清一郎、“菊池線パターン解析による結晶欠陥評価の研究”、薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、20p-P03 (pp. 62-64)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  8. 稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化における残留熱応力解析”、薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、20p-P05 (pp. 65-67)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  9. 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と結晶成長のその場観察”、薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、20p-P07 (pp. 68-71)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  10. 水上 隆達、山下 知徳、東 清一郎、“中空構造SOI層を用いた低温転写によるプラスチック基板上での単結晶シリコンCMOS回路作製プロセス構築”、薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、20p-R02 (pp. 104-107)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  11. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン大気圧熱プラズマジェット結晶化及び大面積処理”、薄膜材料デバイス研究会 第14回研究集会、21p-P6 (pp. 145-147)(2017.10.20-10.21、龍谷大学 響都ホール校友会館).
  12. 水川 友里、岩坂 正和、“ユーグレナの磁気ストレス応答に対する近赤外分光検出による細胞代謝活性評価法”、平成29年度 電気学会 基礎・材料・共通部門大会 19-F-a1-6(2017.9.19-9.20、室蘭工業大学).
  13. 水川 友里、岩坂 正和、廣畑 貴文、“生体由来破砕グアニン結晶における磁場配向特性解析”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 5a-C24-9(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  14. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット照射による高速結晶化”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7a-C21-10(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  15. 稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化における残留熱応力解析”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7a-C21-9(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  16. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の窒素ブースト大気圧プラズマジェット照射による連続結晶成長”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 5a-A204-3(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  17. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“SiCデバイス作製プロセスに向けた大気圧熱プラズマジェットによる大面積熱処理”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 6a-A201-11(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  18. [注目講演]  花房 宏明、中島 涼介、東 清一郎、“窒素ブーストによる大気圧熱プラズマジェットの超ハイパワー化”、第78回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7p-A413-9(2017.9.5-8、福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス).
  19. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット結晶化および連続結晶成長”、2017年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-9)P.61.(2017.7.29、愛媛大学 城北キャンパス).
  20. 中野 航、稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコンの大気圧熱プラズマジェット結晶化”、シリコン材料・デバイス研究会[SDM](2017.4.20-4.21、龍郷町生涯学習センター).

 

 

受賞

  1. 水上 隆達 / 広島大学エクセレント・スチューデント・スカラシップ / 広島大学長 / 平成29年12月15日.
  2. 薄膜材料デバイス研究会 ベストペーパーアワード / 水上 隆達 / 薄膜材料デバイス研究会 実行委員長 / 2017.10.21.

過去の研究業績

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